Microsemi Corporation APT44GA60BD30C

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Test Conditions

400V, 26A, 4.7 Ω, 15V

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

337W

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

337W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

78A

接通时间

29 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.6V @ 15V, 26A

关断时间-标准值（toff)

292 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

128nC

集极脉冲电流（Icm）

130A

Td（开/关）@25°C

16ns/102ns

开关能量

409μJ (on), 450μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

RoHS状态

符合RoHS标准