Microsemi Corporation APT45GR65B2DU30

工厂交货时间

22 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Number of Elements

1

Test Conditions

433V, 45A, 4.3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

543W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

543W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

118A

反向恢复时间

80 ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

接通时间

47 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 45A

关断时间-标准值（toff)

175 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

203nC

集极脉冲电流（Icm）

224A

Td（开/关）@25°C

15ns/100ns

RoHS状态

符合RoHS标准