Microsemi Corporation APT45GR65BSCD10
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APT45GR65BSCD10
1619-APT45GR65BSCD10
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
1最小包装量--
APT45GR65BSCD10详情
Microsemi Corporation APT45GR65BSCD10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Test Conditions
433V, 45A, 4.3 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
543W
输入类型
Standard
功率 - 最大
543W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
118A
反向恢复时间
80 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 45A
IGBT类型
NPT
闸门收费
203nC
集极脉冲电流(Icm)
224A
Td(开/关)@25°C
15ns/100ns
栅极-发射极电压-最大值
30V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
RoHS状态
符合RoHS标准
APT45GR65BSCD10拓展信息
Microsemi Corporation
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