Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30
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APT70GR65B2SCD30
1619-APT70GR65B2SCD30
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
1最小包装量--
APT70GR65B2SCD30详情
Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
T-MAX™ [B2]
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Current-Collector (Ic) (Max)
134A
Test Conditions
433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
595W
功率 - 最大
595W
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
134A
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 70A
IGBT类型
NPT
闸门收费
305nC
集极脉冲电流(Icm)
260A
Td(开/关)@25°C
19ns/170ns
RoHS状态
符合RoHS标准
APT70GR65B2SCD30拓展信息
Microsemi Corporation
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