Microsemi Corporation APT75GN60B2DQ3G
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APT75GN60B2DQ3G
1619-APT75GN60B2DQ3G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-264-3, TO-264AA
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IGBT 600V 155A 536W TO264
1最小包装量--
APT75GN60B2DQ3G详情
Microsemi Corporation APT75GN60B2DQ3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
155A
Test Conditions
400V, 75A, 1Ohm, 15V
包装
Tube
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
536W
额定电流
155A
输入类型
Standard
功率 - 最大
536W
集电极发射器电压(VCEO)
1.85V
最大集电极电流
155A
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.85V @ 15V, 75A
闸门收费
485nC
集极脉冲电流(Icm)
225A
Td(开/关)@25°C
47ns/385ns
开关能量
2500μJ (on), 2140μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT75GN60B2DQ3G拓展信息
Microsemi Corporation
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