Microsemi Corporation APTC60AM42F2G
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APTC60AM42F2G
1619-APTC60AM42F2G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SP2
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Trans MOSFET N-CH 600V 66A 18-Pin Case SP-2
1最小包装量--
APTC60AM42F2G详情
Microsemi Corporation APTC60AM42F2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP2
引脚数
2
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
240 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tray
系列
CoolMOS™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
416W
功率耗散
416W
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
2 N Channel (Phase Leg)
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 6mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
510nC @ 10V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
600V
下降时间(典型值)
52 ns
连续放电电流(ID)
66A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
超级交界处
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTC60AM42F2G拓展信息
Microsemi Corporation
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