Microsemi Corporation APTC60TDUM35PG

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

6

Turn Off Delay Time

283 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

21

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

416W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

21

JESD-30代码

R-XUFM-X21

配置

3 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

416W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 72A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5.4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

518nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

600V

下降时间（典型值）

84 ns

连续放电电流(ID)

72A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

1800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准