Microsemi Corporation APTC80DDA29T3G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

25

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

156W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

25

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290m Ω @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2254pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

90nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

连续放电电流(ID)

15A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准