Microsemi Corporation APTGF50X60RTP3G
- 收藏
- 对比
APTGF50X60RTP3G
1604-APTGF50X60RTP3G
晶体管 - IGBT - 单个
--
大陆
立即发货

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
1最小包装量--
APTGF50X60RTP3G详情
Microsemi Corporation APTGF50X60RTP3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
35
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
MODULE
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
7
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
153 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
52 ns
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
低导通损耗
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
35
JESD-30代码
R-XUFM-X35
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
35 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
APTGF50X60RTP3G拓展信息
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation







哦! 它是空的。