Microsemi Corporation APTGF25X120E2G
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APTGF25X120E2G
1604-APTGF25X120E2G
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17
1最小包装量--
APTGF25X120E2G详情
Microsemi Corporation APTGF25X120E2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Nom (toff)
450 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
140 ns
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
6
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
Part Package Code
MODULE
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
有
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
17
JESD-30代码
R-XUFM-X17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
35 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
APTGF25X120E2G拓展信息
Microsemi Corporation
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