Microsemi Corporation APTM100A12STG

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

1.25kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

9

JESD-30代码

R-XUFM-X9

资历状况

不合格

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1250W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

120m Ω @ 34A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

17400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

616nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1000V 1kV

连续放电电流(ID)

68A

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

270A

DS 击穿电压-最小值

1000V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准