Microsemi Corporation APTM100TDU35PG
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APTM100TDU35PG
1619-APTM100TDU35PG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SP6
大陆
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Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 21-Pin Case SP-6P
1最小包装量--
APTM100TDU35PG详情
Microsemi Corporation APTM100TDU35PG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
引脚数
6
供应商器件包装
SP6-P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
390W
功率耗散
390W
功率 - 最大
390W
场效应管类型
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
420mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
186nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1000V 1kV
连续放电电流(ID)
22A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
5.2nF
场效应管特性
Standard
最大rds
420 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
APTM100TDU35PG拓展信息
Microsemi Corporation
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