Microsemi Corporation APTM120A80FT1G

包装/外壳

SP1

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

已出版

2007

包装

Bulk

操作温度

-40°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

357W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

12

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

357W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

960m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6696pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.96Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准