Microsemi Corporation APTM60A23FT1G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

208W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

引脚数量

12

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

276m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5316pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

165nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准