Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG
- 收藏
- 对比
APTMC120AM08CD3AG
1619-APTMC120AM08CD3AG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
D-3 Module
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
1最小包装量--
APTMC120AM08CD3AG详情
Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
D-3 Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
250A Tc
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.1kW
功率 - 最大
1100W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 200A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 10mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9500pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
490nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
连续放电电流(ID)
250A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
260A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTMC120AM08CD3AG拓展信息
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。