Microsemi Corporation APTMC120HM17CT3AG
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APTMC120HM17CT3AG
1619-APTMC120HM17CT3AG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
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POWER MODULE - SIC MOSFET
1最小包装量--
APTMC120HM17CT3AG详情
Microsemi Corporation APTMC120HM17CT3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
SP3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
147A Tc
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
零件状态
活跃
功率 - 最大
750W
场效应管类型
4 N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
17mOhm @ 100A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 30mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5576pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
332nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
APTMC120HM17CT3AG拓展信息
Microsemi Corporation
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