Microsemi Corporation APTMC120TAM33CTPAG

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

22 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

78A Tc

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

23

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

370W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X23

配置

3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 60A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 3mA (Typ)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2850pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

148nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

连续放电电流(ID)

78A

漏极-源极导通最大电阻

0.033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

155A

DS 击穿电压-最小值

1200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

RoHS状态

符合RoHS标准