Microsemi Corporation APTSM120AM09CD3AG
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APTSM120AM09CD3AG
1619-APTSM120AM09CD3AG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
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MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
1最小包装量--
APTSM120AM09CD3AG详情
Microsemi Corporation APTSM120AM09CD3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
337A Tc
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 180A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 9mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
23000pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1224nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V 1.2kV
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
符合RoHS标准
APTSM120AM09CD3AG拓展信息
Microsemi Corporation
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