Microsemi Corporation JAN2N3767
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JAN2N3767
1619-JAN2N3767
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-213AA, TO-66-2
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Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(2 Tab) TO-66
1最小包装量--
JAN2N3767详情
Microsemi Corporation JAN2N3767重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-213AA, TO-66-2
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
4A
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~200°C TJ
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/518
已出版
2002
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最大功率耗散
25W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/518C
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
500μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2.5V @ 100mA, 1A
转换频率
10MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN2N3767拓展信息
Microsemi
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