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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.411453
10
¥3.218358
100
¥3.036182
500
¥2.864324
1000
¥2.70219
ON Semiconductor BD437S
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- 对比
BD437S
1807-BD437S
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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¥
总价: ¥
BD437S详情
ON Semiconductor BD437S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
引脚数
3
质量
761mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
36W
额定电流
4A
频率
3MHz
基本部件号
BD437
元素配置
Single
功率耗散
36W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 200mA, 2A
转换频率
3MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
11mm
长度
8mm
宽度
3.25mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BD437S拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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