Microsemi Corporation JAN2N7334
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JAN2N7334
1619-JAN2N7334
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
14-DIP (0.300, 7.62mm)
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MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
1最小包装量--
JAN2N7334详情
Microsemi Corporation JAN2N7334重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
14-DIP (0.300, 7.62mm)
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/597
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1.4W
资历状况
Qualified
功率 - 最大
1.4W
场效应管类型
4 N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
700m Ω @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
连续放电电流(ID)
1A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN2N7334拓展信息
Microsemi Corporation
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