Microsemi Corporation JAN2N918UB

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Non-Standard

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/301

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

200mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 3mA 1V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 1mA, 10mA

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最高频段

超高频B型

RoHS状态

Non-RoHS Compliant