Microsemi Corporation JANS2N3867

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/350

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

1W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1.5A 2V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

集电极基极电压(VCBO)

40V

关断时间-最大值（toff)

600ns

接通时间-最大值(ton)

100ns

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant