ON Semiconductor KSD882YSTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

1W

额定电流

3A

频率

90MHz

基本部件号

KSD882

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

90MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 1A 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

90MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

11.2mm

长度

8.3mm

宽度

3.45mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅