Microsemi Corporation JANTXV2N2219A

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-205AD

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/251

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

800mW

极性

NPN

功率耗散

800mW

功率 - 最大

800mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant