Microsemi Corporation JANTXV2N6052

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/501

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

150W

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 6A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 120mA, 12A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant