Microsemi Corporation JANTXV2N6989

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

4

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

已出版

2002

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

14

参考标准

MIL-19500/559F

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

4 NPN (Quad)

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-116

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

75V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅