Microsemi Corporation SD1127

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

18V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

8W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

3

配置

SINGLE

输出功率

8W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

18V

最大集电极电流

640mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 50mA 5V

增益

12dB

最高频率

175MHz

频率转换

175MHz

集电极基极电压(VCBO)

36V

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

20pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅