Microsemi Corporation MRF5812GR1
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MRF5812GR1
1619-MRF5812GR1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
--最小包装量--
MRF5812GR1详情
Microsemi Corporation MRF5812GR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最大功率耗散
1.25W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF5812
引脚数量
8
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.25W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 50mA 5V
增益
13dB ~ 15.5dB
转换频率
5000MHz
最大击穿电压
15V
频率转换
5GHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
2pF
噪音数字(分贝类型@ f)
2dB ~ 3dB @ 500MHz
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MRF5812GR1拓展信息













哦! 它是空的。