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Microsemi Corporation SG2001J/883B

Name: SG2001J/883B
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1604-SG2001J/883B
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SG2001J/883B

品牌

Microsemi Corporation

utmel 编号

1604-SG2001J/883B

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-16

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SG2001J/883B Microsemi Corporation Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-16

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SG2001J/883B详情

技术参数

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Microsemi Corporation SG2001J/883B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

16
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP
Package Description

IN-LINE, R-CDIP-T16
Number of Elements

7
Operating Temperature-Max

125 °C
Operating Temperature-Min

-55 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

IN-LINE
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

DUAL
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

not_compliant
JESD-30代码

R-CDIP-T16
资历状况

不合格
配置

7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

NPN
集电极电流-最大值(IC)

0.5 A
最小直流增益（hFE）

1000
集电极-发射器电压-最大值

50 V
VCEsat-最大值

1.6 V

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation SG2001J/883B.

数据表 :
b139918db56de8a1aa47a2c8462e5a70.pdf

SG2001J/883B拓展信息

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