MICROSS/On Semiconductor 2N2222A
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2N2222A
1807-2N2222A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-18
大陆
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DIE TRANS NPN MED PWR GEN PURP
--最小包装量--
2N2222A详情
MICROSS/On Semiconductor 2N2222A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
TO-18
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
100
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
功率耗散
500mW
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
800mA
集电极基极电压(VCBO)
75V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
最大结点温度(Tj)
200°C
高度
5.33mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
2N2222A拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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