MPSA43
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ON Semiconductor MPSA43

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型号

MPSA43

utmel 编号

1807-MPSA43

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 200V 0.5A TO-92

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MPSA43
MPSA43 ON Semiconductor TRANS NPN 200V 0.5A TO-92

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MPSA43详情

ON Semiconductor MPSA43重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-92-3

  • 质量

    201mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    200V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500mA

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    50

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2002

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    通孔

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    200V

  • 最大功率耗散

    625mW

  • 额定电流

    200mA

  • 频率

    50MHz

  • 基本部件号

    MPSA43

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    625mW

  • 功率 - 最大

    625mW

  • 增益带宽积

    50MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    200V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    25 @ 1mA 10V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 2mA, 20mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    200V

  • 最大击穿电压

    200V

  • 频率转换

    50MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    200V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & MPSA43相似的参数规格。

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MPSA43拓展信息

MMBTA92LT1G
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SMMBT5551LT1G
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BCP56-16T1G
BCP56-16T1G

ON Semiconductor

BCP56T1G
BCP56T1G

ON Semiconductor

BC857CLT1G
BC857CLT1G

ON Semiconductor

PZT2907AT1G
PZT2907AT1G

ON Semiconductor

MMBTA56LT1G
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ON Semiconductor

2N3904BU
2N3904BU

ON Semiconductor

MMBTA06LT1G
MMBTA06LT1G

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MMBT5401LT1G
MMBT5401LT1G

ON Semiconductor

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