ON Semiconductor PZT2907AT1G
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PZT2907AT1G
1807-PZT2907AT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
--最小包装量--
PZT2907AT1G详情
ON Semiconductor PZT2907AT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.6V
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-600mA
频率
200MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
PZT2907A
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.651mm
长度
6.6802mm
宽度
3.7084mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PZT2907AT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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