MICROSS/On Semiconductor 2N3019
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2N3019
1807-2N3019
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-39
大陆
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DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V
1最小包装量--
2N3019详情
MICROSS/On Semiconductor 2N3019重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-39
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
800mW
极性
NPN
功率耗散
800mW
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1A
集电极基极电压(VCBO)
140V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
2N3019拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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