MICROSS/On Semiconductor D45H11

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

引脚数

3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

60

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

可提供引线框架选项

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

60mW

额定电流

-10A

频率

40MHz

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

60mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

40MHz

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

转换频率

40MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

最小直流增益（hFE）

40

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅