Mitsubishi Electric MGF4914E
- 收藏
- 对比
MGF4914E
1645-MGF4914E
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GD-16, 4 PIN
1最小包装量--
MGF4914E详情
Mitsubishi Electric MGF4914E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Drain Current-Max (ID)
0.06 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
磁盘按钮
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
K带
环境耗散-最大值
0.05 W
功率增益-最小值(Gp)
9.5 dB
MGF4914E拓展信息
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric







哦! 它是空的。