MGFC36V5258
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Mitsubishi Electric MGFC36V5258

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型号

MGFC36V5258

utmel 编号

1645-MGFC36V5258

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN

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MGFC36V5258 Mitsubishi Electric Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN

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MGFC36V5258详情

Mitsubishi Electric MGFC36V5258重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    砷化镓

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MITSUBISHI ELECTRIC CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • Drain Current-Max (ID)

    2.8 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    10 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    C 带

  • 环境耗散-最大值

    25 W

  • 功率增益-最小值(Gp)

    9 dB

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技术文档: Mitsubishi Electric MGFC36V5258.

MGFC36V5258拓展信息

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