Mitsubishi Electric MGFC36V5258
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MGFC36V5258
1645-MGFC36V5258
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-8, 2 PIN
1最小包装量--
MGFC36V5258详情
Mitsubishi Electric MGFC36V5258重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
砷化镓
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Drain Current-Max (ID)
2.8 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
10 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
C 带
环境耗散-最大值
25 W
功率增益-最小值(Gp)
9 dB
MGFC36V5258拓展信息
Mitsubishi Electric
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