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Mitsubishi Electric MGFC40V5258

Name: MGFC40V5258
Brand: Mitsubishi Electric
SKU: 1645-MGFC40V5258
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MGFC40V5258

品牌

Mitsubishi Electric

utmel 编号

1645-MGFC40V5258

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN

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MGFC40V5258 Mitsubishi Electric RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN

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MGFC40V5258详情

技术参数

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Mitsubishi Electric MGFC40V5258重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

砷化镓
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Max

175 °C
Number of Elements

1
Drain Current-Max (ID)

2.4 A
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Ihs Manufacturer

MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Part Life Cycle Code

Obsolete
ECCN 代码

EAR99
附加功能

HIGH RELIABILITY
HTS代码

8541.29.00.75
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
引脚数量

2
JESD-30代码

R-CDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

10 V
场效应管技术

JUNCTION
最高频段

C 带
环境耗散-最大值

43 W

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MGFC40V5258拓展信息

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