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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 MIG12J504L
MIG12J504L
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Mitsubishi Electric MIG12J504L

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型号

MIG12J504L

品牌

Mitsubishi Electric

utmel 编号

1645-MIG12J504L

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES

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MIG12J504L
MIG12J504L Mitsubishi Electric Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES

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MIG12J504L详情

技术参数

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Mitsubishi Electric MIG12J504L重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MITSUBISHI ELECTRIC CORP

  • Package Description

    ,

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    100 °C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • Reach合规守则

    unknown

  • 最大耗散功率(Abs)

    43 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    12 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • VCEsat-最大值

    2.3 V

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技术文档: Mitsubishi Electric MIG12J504L.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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