Mitsubishi Electric RD00HVS1

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MITSUBISHI ELECTRIC CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

20 dB