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Motorola Semiconductor Products IRF630N

Name: IRF630N
Brand: Motorola Semiconductor Products
SKU: 1668-IRF630N
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF630N

品牌

Motorola Semiconductor Products

utmel 编号

1668-IRF630N

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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IRF630N Motorola Semiconductor Products Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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IRF630N详情

技术参数

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Motorola Semiconductor Products IRF630N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
外壳材料

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC
Drain Current-Max (ID)

9 A
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω
DS 击穿电压-最小值

200 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值

75 W

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技术文档: Motorola Semiconductor Products IRF630N.

数据表 :
4ea1b6bca6356750d5da664c2d88ba2c.pdf

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