NEC 2SK1284

底架

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

500 ns

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2SK1284

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.9

Part Package Code

TO-251AA

Drain Current-Max (ID)

3 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

40 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

55 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3 A

JEDEC-95代码

TO-251AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

辐射硬化

无