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技术文档
型号
2SK2159
品牌
NEC
utmel 编号
1712-2SK2159
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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2SK2159详情
技术参数
NEC 2SK2159重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.31
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
闸门保护
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
2SK2159拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
库存:0
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