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技术文档
型号
2SK2372A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-2SK2372A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-88, 3 PIN
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2SK2372A详情
技术参数
NEC 2SK2372A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0004ZS-A3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK2372-A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.37
Part Package Code
MP-88
Drain Current-Max (ID)
25 A
无铅代码
附加功能
HIGH VOLTAGE, AVALANCHE RATING
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.27 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
446 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
160 W
2SK2372A拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
库存:0
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