NEC 2SK3057

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Drain Current-Max (ID)

45 A

Part Package Code

SFM

Risk Rank

5.91

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

2SK3057

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

45 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45 A

漏极-源极导通最大电阻

0.027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

50.6 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

30 W