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技术文档
型号
NE325S01
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE325S01
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NE325S01 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NEC stock available at utmel
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NE325S01详情
技术参数
NEC NE325S01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
PLASTIC, S01, 4 PIN
Package Style
磁盘按钮
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
NEC Electronics America Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Risk Rank
5.77
Drain Current-Max (ID)
0.02 A
最高工作温度
125 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
165 mW
端子位置
RADIAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
频率
12 GHz
JESD-30代码
O-PRDB-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
4 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
60 mA
栅极至源极电压(Vgs)
-3 V
增益
12.5 dB
漏源击穿电压
DS 击穿电压-最小值
3 V
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
最高频段
Ku波段
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
NE325S01拓展信息
热销零件
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型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
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