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技术文档
型号
NE325S01-T1B
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE325S01-T1B
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NE325S01-T1B datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NEC stock available at utmel
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NE325S01-T1B详情
技术参数
NEC NE325S01-T1B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Package Style
MICROWAVE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
UNSPECIFIED
Manufacturer
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
Risk Rank
5.23
Drain Current-Max (ID)
0.02 A
附加功能
低噪音
端子位置
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
X-PXMW-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
3 V
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
最高频段
Ku波段
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
NE325S01-T1B拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE850R599A
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