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技术文档
型号
NE650103M-A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE650103M-A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NE650103M-A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NEC stock available at utmel
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NE650103M-A详情
技术参数
NEC NE650103M-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
砷化镓
Voltage, Rating
15 V
Voltage Rating (DC)
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.11
Drain Current-Max (ID)
5 A
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
最高工作温度
175 °C
HTS代码
8541.29.00.75
最大功率耗散
33 W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
额定电流
频率
2.3 GHz
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.5 A
漏源电压 (Vdss)
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
-7 V
增益
11 dB
漏源击穿电压
DS 击穿电压-最小值
10 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
100 Ω
最高频段
S带
测试电压
无铅
NE650103M-A拓展信息
热销零件
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公司资质
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型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
库存:888
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库存:0
型号:UPA1763G-E2-A
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