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技术文档
型号
NE685M33-T3-A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE685M33-T3-A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor NPN 2GHZ M33
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NE685M33-T3-A详情
技术参数
NEC NE685M33-T3-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
Collector-Emitter Breakdown Voltage
6 V
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
130 mW
额定电流
30 mA
频率
12 GHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
最大集电极电流
最高频率
转换频率
发射极基极电压 (VEBO)
2 V
连续集电极电流
无铅
NE685M33-T3-A拓展信息
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公司资质
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型号:NE325S01-T1B
封装:--
品牌:NEC
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库存:0
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