注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NE85619-T1-A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE85619-T1-A
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
L Band Si NPN Rf Small Signal Transistor
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
NE85619-T1-A详情
技术参数
NEC NE85619-T1-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12 V
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
RoHS
Compliant
包装
卷带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
100 mW
额定电流
100 mA
频率
4.5 GHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
增益带宽积
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
增益
9 dB
转换频率
最大击穿电压
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
3 V
连续集电极电流
宽度
800 µm
高度
750 µm
长度
1.6 mm
无铅
NE85619-T1-A拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NE52418-T1-A
封装:Axial
品牌:NEC
库存:0
型号:NE68033-T1B-A
型号:2SC5508-A
封装:--
型号:NE85633-T1B-A
型号:2SC5508-T2-A--
型号:NE68133T1BA
购物车 (0件产品)